第一財經記者了解到，長鑫科技（688825.SH）的核心子公司長鑫存儲總裁曹堪宇在10月10日的第四屆集成芯片和芯粒大會上透露了一項新的DRAM（動態隨機存取存儲器）技術進展。曹堪宇介紹了名為4F2的DRAM架構，并表示長鑫存儲預計年底將推出采用這項技術的新一代DDR5 RDIMM產品。

曹堪宇表示，該架構在DRAM存儲陣列晶體管上進行了創新，VSG（Vertical Surrounded Gate）晶體管采用垂直包圍溝道結構，以實現更強柵控，解決漏電與短溝道效應痛點，豎立的晶體管有助于面積微縮，提升存儲密度。

DRAM行業正朝著存儲密度更大的方向發展。DRAM芯片設計中，一個存儲單元通常由一個晶體管（1T）和一個電容器（1C）組成。F（最小特征尺寸）代表晶圓制造工藝中光刻技術能實現的最小線寬或間距。4F2代表每個單元占4倍最小特征尺寸的平方。而目前DRAM行業內主流的架構是6F2。從6F2走向4F2，單位面積內晶體管數量增多，存儲密度有所提升。

此外，4F2還針對傳統一體化制造中的工藝瓶頸給出了解決辦法。

據介紹，4F2技術早期聚焦2D維度晶體管設計，存儲陣列區域與外圍邏輯電路區域的制造工藝被綁定在同一套光刻和摻雜條件中，性能不及6F2。而隨著6F2架構微縮難度增大，業內轉而推動4F2架構從二維轉向三維，實現方式包括讓DRAM與CMOS制造工藝解耦、用晶圓級混合鍵合技術實現高速互聯，以獨立優化邏輯性能和存儲單元密度，一定程度上擺脫工藝瓶頸。曹堪宇表示，長鑫4F2架構相關的公開專利族超300件，數量行業領先。

推出這項新技術也是長鑫拓展服務器內存市場的一個嘗試。在服務器內存領域，海外存儲廠商長期占據優勢，長鑫下游此前則偏重消費電子。相比于追求“跑得快”的消費級內存，服務器內存產品技術難度偏大，需要支持服務器不間斷運行。

曹堪宇此次表示，長鑫存儲將4F2架構的首代產品定為DDR5 RDIMM，準備用這一技術應對服務器內存領域的技術與工程壁壘。

在服務器領域，9月的業績說明會上，長鑫科技總經理趙綸針對第一財經記者提出的問題回應稱，上半年公司持續在服務器領域拓展業務，應用于這一領域的產品貢獻已有所增加。

近期長鑫也頻繁更新技術進展。8月底，長鑫科技宣布，最新一代低功耗內存LPDDR6量產。長鑫科技成為業內較早量產LPDDR6的廠商。9月，長鑫存儲在世界制造業大會上宣布第五代DRAM技術平臺（G5）實現量產，該平臺接近全球最頂尖的內存量產平臺制程。

據市場研究機構Counterpoint數據，按全球DRAM廠商的收入計算，長鑫科技今年第二季度市場份額為7%，市占率排名第四。